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化学气相淀积(CVD)用混合气
    化学气相淀积(CVD)用混合气 CVD是利用挥发性化合物,通过气相化学反应沉积某种单质或化合物的一种方法。即应用气相化学反应的成膜方法。依据成膜种类,使用的化学气相淀积(CVD)气体也不相同,下表列出几种化学气相淀积混合气的组成。
   具体规格:
膜的种类
混合气组成
生成方法

  半导体膜
 
 
 
  绝缘膜
 
 
 
  导体膜

  硅烷(SiH4)+氢
  二氯二氢硅(SiH2Cl2)+氢
  氯硅烷(SiCl4)+氢
  硅烷(SiH4)+甲烷(CH4)
  硅烷(SiH4)+氧
  硅烷(SiH4)+氧+磷烷(PH3)
  硅烷(SiH4)+氧+磷烷(PH3)+乙硼烷(B2H6)
  硅烷(SiH4)+氧化亚氮(N2O)+磷烷(PH3)
  六氟化钨(WF6)+氢
  六氟化钼(MoCl6)+氢

  CVD
  CVD
  CVD
  离子注入CVD
  CVD
  CVD
  CVD
  离子注入CVD
  CVD
  CVD

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