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外延(生长)混合气 
      外延(生长)混合气在半导体工业中,在仔细选择的衬底上选用化学 气相淀积的方法,生长一层或多层材料所用的气体口U做外延气体。常用的硅外延气体有二氯二氢硅、四氯化硅和硅烷等。主要用 于外延硅淀积,多晶硅淀积,氧化硅膜淀积,氮化硅膜淀积,太阳能电池和其他光感受器的非晶硅膜淀积等。外延生长是一种单 晶材料淀积并生长在衬底表面上的过程。
   常用外延混合气组成如下:
序号
组分气体
稀释气体

1.
2.
3.
4.

硅烷(SiH4
氯硅烷(SiCl4
二氯二氢硅(SiH2C12
乙硅烷(Si2H6

氦、氩、氢、氮
氦、氩、氢、氮
氦、氩、氢、氮
氦、氩、氢、氮

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